ES1B-M3/5AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | ES1B-M3/5AT |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
22500+ | $0.1007 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 25 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 100 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | ES1 |
ES1B-M3/5AT Einzelheiten PDF [English] | ES1B-M3/5AT PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Diode, Superfast, SMA, 100V, 1A,
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
SMA VISHAY
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
ES1B-T MIC
FSC DO214
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() ES1B-M3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|